三星更新半导体工艺路线图：计划年实现第四代芯片量产

C114讯6月14日消息（苡臻）日前，在圣何塞举行的三星晶圆代工论坛上，三星更新了其半导体工艺路线图，三星更新半导体工艺路线图：计划年实现第四代芯片量产目标是在2027年实现第四代2nm芯片的大规模生产，并在2025年量产升级版4nm硅芯片。

据了解，三星的2nm工艺路线涵盖了多个技术节点，首推SF2，随后将依次推出SF2P、SF2X、SF2Z、SF2A。第一代2nm工艺SF2将于2025年开始，升级版SF2P将于2026年准备就绪。

第四代SF2Z工艺节点将于2027年投入量产，将采用先进的背面供电网络（BSPDN）技术，以提高能效并降低温度。

此外，新的SF4U工艺被称为高价值4nm变体，利用“光学收缩”技术提高了功率、性能和面积，计划于2025年实现量产。

三星晶圆代工业务总裁ChoiSi-young表示，在围绕AI的众多技术不断发展的今天，高性能、低功耗半导体至关重要。他提到，三星计划引入集成化、共封装光学技术，以实现高速、低功耗数据处理。

三星还指出，其全环绕栅极（GAA）晶体管架构在性能和良率方面正日趋成熟。1.4nm工艺（SF1.4）的准备工作“进展顺利，性能和良率目标均已如期实现”，并补充说，公司正在通过材料和结构创新“积极塑造”未来低于1.4nm的工艺技术。

另外，一份来自行业研究机构TrendForce的数据显示，第一季度三星在代工市场的份额同比持平，为11%，而竞争对手台积电（TSMC）则占据了61.7%。

今年2月，三星获得了日本初创公司PreferredNetworks的2nmAI芯片生产合同。而在上个月，为在高带宽内存芯片领域赶超竞争对手SK海力士，三星更换了半导体业务主管。